Univerzita Pardubice Fakulta elektrotechniky a informatiky

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

Autoři: Zhang Bo | Zima Vítězslav | Mikysek Tomáš | Podzemná Veronika | Rozsíval Pavel | Wágner Tomáš

Rok: 2018

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Strana od-do: 16836–16841

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Více stavové odporové spínání CBDRAM pamětí dopovaných mědí a stříbrem	Nový navržený typ paměti na základě Ge2Se3 dopovaným Cu a Ag byl testován metodou „one pulse SET“. Paměť při spínání vykazovala spínání přes více stabilních úrovní odporu. Víceúrovňové spínání může být způsobeno vytvářením a rozpouštěním Ag a Cu filamentů. Pro důkaz distribuce Ag a Cu bylo použito EDXA spektroskopické mapování a elektronový skenovací mikroskopie.	paměti
eng	Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device	A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as "one pulse SET method". The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.	memories