Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Very High Speed High Power Semiconductor Switch Off Circuit
Autoři: Němec Zdeněk | Blecha Jiří
Rok: 2011
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Perner´s Contacts
Název nakladatele: Univerzita Pardubice
Místo vydání: Pardubice
Strana od-do: 217-223
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Vysokorychlostní vypínací polovodičový obvod pro velmi vysoké výkony Vysokorychlostní vypínací polovodičové obvody (SOS) mají perspektivní uplatnění v mnoha aplikacích spínání velmi vysokých výkonů v oblastech řízení, napájení nebo ve vysokofrekvenčních obvodech. V článku je uveden rozbor generátoru krátkých pulsů určeného pro testování odolnosti elektronických obvodů (EMC) proti přetížení krátkým vysokoenergetickým pulsem. Popsán je návrh obvodu generátoru a analýza režimu rozepínání vysokonapěťové diody a s tím spojených problémů. vysokorychlostní spínání;SOS,modelování polovodičové diody;simulace obvodu;generování nanosekundového pulsu;elektromagnetický impuls;EMC;EMI
eng Very High Speed High Power Semiconductor Switch Off Circuit High speed high power semiconductor switch off circuits (SOS) attract an increasing interest due to their perspective application in various high power switching cirucuits in control, feeding or VHF systems. In this paper we concentrate on a short pulse generator for electronic equipment EMC resistance testing against a short but a high energy pulse overloading. The generator circuit design is described and an analysis of a high voltage diode in the off switching regime and related problems are described. High speed switching; SOS; semiconductor diode modeling; circuit simulation; nanosecond pulse generation; electromagnetic impulse; EMC; EMI