University of PardubiceFaculty of Electrical Engineering and Informatics

University

Employees
|
Students
Česky

Publication detail

Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

Authors: Zhang Bo | Zima Vítězslav | Mikysek Tomáš | Podzemná Veronika | Rozsíval Pavel | Wágner Tomáš

Year: 2018

Type of publication: článek v odborném periodiku

Name of source: Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Page from-to: 16836–16841

Titles:

Language	Name	Abstract	Keywords
cze	Více stavové odporové spínání CBDRAM pamětí dopovaných mědí a stříbrem	Nový navržený typ paměti na základě Ge2Se3 dopovaným Cu a Ag byl testován metodou „one pulse SET“. Paměť při spínání vykazovala spínání přes více stabilních úrovní odporu. Víceúrovňové spínání může být způsobeno vytvářením a rozpouštěním Ag a Cu filamentů. Pro důkaz distribuce Ag a Cu bylo použito EDXA spektroskopické mapování a elektronový skenovací mikroskopie.	paměti
eng	Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device	A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as "one pulse SET method". The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.	memories